Шотки диод - Definition. Was ist Шотки диод
Diclib.com
Wörterbuch ChatGPT
Geben Sie ein Wort oder eine Phrase in einer beliebigen Sprache ein 👆
Sprache:

Übersetzung und Analyse von Wörtern durch künstliche Intelligenz ChatGPT

Auf dieser Seite erhalten Sie eine detaillierte Analyse eines Wortes oder einer Phrase mithilfe der besten heute verfügbaren Technologie der künstlichen Intelligenz:

  • wie das Wort verwendet wird
  • Häufigkeit der Nutzung
  • es wird häufiger in mündlicher oder schriftlicher Rede verwendet
  • Wortübersetzungsoptionen
  • Anwendungsbeispiele (mehrere Phrasen mit Übersetzung)
  • Etymologie

Was (wer) ist Шотки диод - definition

Шотки барьер; Барьер Шотки; Шоттки барьер

Шотки диод      

Шоттки диод, диод с барьером Шотки, Полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл - полупроводник; назван в честь немецкого учёного В. Шотки, создавшего в 1938-39 основы теории таких диодов. При изготовлении Ш. д. на очищенную поверхность полупроводникового кристалла (Si, GaAs, реже Ge) наносят тонкий слой металла (Au, Al, Ag, Pt и др.) методами вакуумного испарения, катодного распыления (См. Катодное распыление) либо химического или электролитического осаждения. В Ш. д. (в приконтактной области полупроводника), как и в диодах с электронно-дырочным переходом (См. Электронно-дырочный переход) (в области этого перехода), возникает Потенциальный барьер (см. также Шотки барьер), изменение высоты которого под действием внешнего напряжения (смещения) приводит к изменению тока через прибор (см. рис. 2). Ток через контакт металл - полупроводник, в отличие от тока через электронно-дырочный переход, обусловлен только основными носителями заряда.

Отличительные особенности Ш. д. по сравнению с полупроводниковыми диодами др. типов: возможность получать требуемую высоту потенциального барьера посредством выбора соответствующего металла; значительная нелинейность вольтамперной характеристики при малых прямых смещениях; очень малая инерционность (до 10―11 сек); низкий уровень ВЧ шумов; технологическая совместимость с интегральными схемами (См. Интегральная схема); простота изготовления. Ш. д. служат главным образом СВЧ-диодами различного назначения (детекторными, смесительными, лавинно-пролётными, параметрическими, импульсными, умножительными); кроме того, Ш. д. применяют в качестве приёмников излучения (См. Приёмники излучения), детекторов ядерного излучения (См. Детекторы ядерных излучений), Тензодатчиков, модуляторов света; их используют также в выпрямителях тока (См. Выпрямитель тока) ВЧ, солнечных батареях (См. Солнечная батарея) и т.д.

Лит. см. при ст. Полупроводниковый диод.

Ю. Р. Носов.

Рис. 2. Типичная вольтамперная характеристика полупроводникового диода с р - n-переходом: U - напряжение на диоде; I - ток через диод; U*oбр и I*oбр - максимальное допустимое обратное напряжение и соответствующий обратный ток; U - напряжение стабилизации.

Структура детекторного Шотки диода: 1 - полупроводниковая подложка; 2 - эпитаксиальная плёнка; 3 - контакт металл - полупроводник; 4 - металлическая плёнка; 5 - внешний контакт.

ГАННА ДИОД         
  • Диод Ганна на [[C-диапазон]]. Видна заводская упаковка с антистатическими свинцовыми капсулами.
  • Вольт-амперная характеристика диода Ганна
  • Условное графическое обозначение в схемах.
  • Конструкция [[гетеродин]]а на диоде Ганна C-диапазона. Применён в МШУ «Обиход».
  • Генератор на диоде Ганна с волноводным резонатором. Подстройка частоты генерации производится перемещением закорачивающего поршня, тонкая подстройка производится винтом.
  • Генератор на диоде Ганна с коаксиальным резонатором. Подстройка частоты генерации производится перемещением закорачивающего поршня.
полупроводниковый диод, действие которого основано на Ганна эффекте. Применяется преимущественно для усиления и генерирования СВЧ-колебаний.
Диод Ганна         
  • Диод Ганна на [[C-диапазон]]. Видна заводская упаковка с антистатическими свинцовыми капсулами.
  • Вольт-амперная характеристика диода Ганна
  • Условное графическое обозначение в схемах.
  • Конструкция [[гетеродин]]а на диоде Ганна C-диапазона. Применён в МШУ «Обиход».
  • Генератор на диоде Ганна с волноводным резонатором. Подстройка частоты генерации производится перемещением закорачивающего поршня, тонкая подстройка производится винтом.
  • Генератор на диоде Ганна с коаксиальным резонатором. Подстройка частоты генерации производится перемещением закорачивающего поршня.
Дио́д Га́нна (изобретён Джоном Ганном в 1963 году) — тип полупроводниковых диодов, в полупроводниковой структуре не имеет p-n-переходов и используется для генерации и преобразования колебаний в диапазоне СВЧ на частотах от .

Wikipedia

Барьер Шоттки

Барье́р Шо́ттки или Шо́тки, (англ. Schottky barrier) — потенциальный барьер, появляющийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода (энергий, затрачиваемых на удаление электрона из твёрдого тела или жидкости в вакуум) металла и полупроводника: ϕ O = ϕ M ϕ Π {\displaystyle \phi _{O}=\phi _{M}-\phi _{\Pi }} .